Alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu
Alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

Alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

O alvo de pulverização catódica HfO₂ 4N com suporte de cobre utiliza material de óxido de háfnio com pureza de 99,99%. Integrado com um suporte de cobre, oferece excelente condutividade térmica e é ideal para processos de revestimento óptico, fabricação de semicondutores e revestimento a vácuo. Caracterizado por alta pureza, estabilidade estrutural e deposição uniforme de filme, esse alvo ajuda a melhorar a eficiência do revestimento e a qualidade do produto.
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Descrição do alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

 

O alvo de pulverização catódica de HfO2 4N com uma placa de suporte de cobre é um material crítico de alto-desempenho para deposição de filmes-finos, amplamente utilizado em campos como óptica, semicondutores e microeletrônica. Ele consiste principalmente em um corpo-alvo de dióxido de háfnio (HfO₂)-com pureza de 99,99%-ligado por meio de um processo especializado a uma placa de suporte de cobre de alta-pureza. Este alvo de HfO2 4N representa um material de revestimento-de alta qualidade, caracterizado por seu nível avançado de integração tecnológica. Ao combinar cerâmica de dióxido de háfnio de ultra-pureza-de pureza ultra-servindo como material funcional-com cobre de alta-pureza-atuando como suporte estrutural-ele atende com sucesso às rigorosas demandas dos processos modernos de revestimento de precisão em relação à pureza, desempenho, estabilidade e confiabilidade das fontes de pulverização catódica. Além disso, suas especificações personalizáveis ​​melhoram sua adaptabilidade em diversos cenários de aplicação e plataformas de equipamentos, estabelecendo-o como um material fundamental para impulsionar avanços tecnológicos em indústrias como óptica e semicondutores.

 

Aplicações do alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

 

Revestimentos ópticos: usados ​​para fabricar dispositivos ópticos de alto-desempenho, incluindo revestimentos anti-reflexos, camadas dielétricas de alto índice de-refração-, filtros ópticos, revestimentos de componentes de laser e películas protetoras resistentes a-danos-de laser.
Semicondutores e microeletrônica: serve como material dielétrico de porta altamente-dielétrico-constante para dispositivos semicondutores avançados; também utilizado para a deposição de filmes finos funcionais em sistemas micro-eletro{3}}mecânicos (MEMS) e outros componentes eletrônicos.
Outros campos-de alta tecnologia: também encontra aplicações significativas em comunicações-de fibra óptica, dispositivos de energia e experimentos de pesquisa científica.

 

Especificações do alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

 

Composição: HfO₂
Pureza: Maior ou igual a 99,9%
Formato: discos ou personalizados-
Diâmetro: 2", 3", 4", 5", 6" ou personalizado
Espessura: 0,25", 0,125" ou personalizado
Tipo de título: In

 

Controle de qualidade e teste de alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

 

 

1QC

 

 

Perguntas frequentes para alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu

 

Você é um fábrica ou afabricante?
R: Sim, somos um alvo 4N HfO2 com uma fábrica de placa traseira de Cu, mas geralmente usamos nossa empresa comercial para lidar com negócios no exterior. Será mais conveniente receber a remessa e providenciar o envio.

Qual é o método de entrega?
R: Geralmente, enviamos alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu pela UPS, DHL ou FedEx. Além disso, podemos enviar por via marítima para um porto marítimo ou por via aérea para o aeroporto mais próximo.

Por que seu alvo de HfO2 4N com placa traseira de Cu é tão econômico-?
R: Eliminamos os intermediários no processo de fabricação-de ponta a-e obtemos matéria-prima diretamente de sua fonte.

Você faz inspeção de qualidade pontual deprodutos?
R: Inspeção 100% completa com certeza. Todos os alvos 4N HfO2 não qualificados com placa traseira de Cu são descartados.

Como você garante seu prazo de entrega?
R: Desde a preparação do material até a usinagem e finalmente até uma inspeção completa. Cada etapa da produção é rigorosamente monitorada e controlada para fornecer um prazo de entrega preciso.

Qual é o MOQ do alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu?
R: Depende da quantidade de alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu; geralmente, sem limite de MOQ.

Como pagaros produtos?
R: Uma transferência bancária (T/T) será aceitável.

Qual é o prazo de entrega?
R: Cerca de 7 a 20 dias, o que depende da quantidade e produção do Alvo 4N HfO2 com Placa Traseira de Cu.

Que tipo de pacote é esse?
R: Geralmente, usamos uma caixa de papelão ou madeira compensada com material protetor dentro para garantir a segurança do alvo 4N HfO2 com placa traseira de Cu.

Qual é o prazo de entrega?
R: Do pedido feito até o recebimento da carga levará cerca de 10 a 25 dias.

 

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