Descrição do alvo de pulverização catódica de háfnio 99,95% Hf
Filmes finos-à base de háfnio feitos a partir do alvo de pulverização catódica de háfnio (Hf) da YITECH são usados como isolantes nas novas gerações de semicondutores. Nosso alvo de pulverização catódica de háfnio é feito de uma barra de cristal refinada, o que garante baixo teor de zircônio, alta pureza e alta confiabilidade. A película fina impede a difusão do cobre no silício. O óxido de háfnio amorfo possui alta constante dielétrica, o que permite a redução da corrente de fuga da porta e melhora o desempenho da eletrônica.

Aplicações do alvo de pulverização catódica de háfnio com 99,95% Hf
• Eletrônicos
• Semicondutor
• Monitores de tela plana
Especificações do alvo de pulverização catódica de háfnio 99,95% Hf
| Tipo de material | Háfnio |
| Símbolo | Hf |
| Peso atômico | 178.49 |
| Número Atômico | 72 |
| Cor/Aparência | Aço Cinzento, Metálico |
| Condutividade Térmica | 23 W/m.K |
| Ponto de fusão (grau) | 2,227 |
| Coeficiente de Expansão Térmica | 5.9 x 10-6/K |
| Densidade Teórica (g/cc) | 13.31 |
| Razão Z | 0.36 |
| Pulverização | CC |
| Densidade máxima de potência (Watts/polegada quadrada) |
50* |
| Pureza | 99,9%(EX Zr) |
| Tamanho | Dia. 1polegadas - 8polegadas |
| Tipo de vínculo | Índio, Elastômero |
Perguntas frequentes para alvo de pulverização catódica de háfnio com 99,95% Hf
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